Конструкции биполярных транзисторов

Транзисторы являющиеся элементами интегральной микросхемы не подлежащие замене называются интегральными. Остальные транзисторы называются дискретными.

Дискретные биполярные транзисторы.

В кристалл кремния n-типа сверху внедряется акцепторная примесь образующая p-область базы. В результате внедрения донорной примеси в p-области базы образуется сильно легированная n+ область эмиттера. Область n-типа окружающая p-область базы образует коллектор. Сверху на полупроводник наносится пассивирующий слой диэлектрика-SiO2 препятствующий химическому взаимодействию кремния с веществами содержащимися в воздухе. На отверстие в пассивирующем слое напылен металл образующий электроды эмиттера и базы. На противоположную поверхность кристалла напылен металл, образующий электрод коллектора. Дискретные биполярные транзисторы p-n-p-типа имеет аналогичную конструкцию. Выбрать необходимый транзистор можно у любого поставщика радиодеталей в Санкт-Петербурге обратившись по справочному телефону.

Интегральные биполярные транзисторы.

На рисунке изображен фрагмент интегральной микросхемы содержащей биполярный транзистор.

На полупроводниковой подложке изготовленной из кремния p-типа наращивается эпитаксиальный слой n-типа. Верхней границе подложки соответствует плоскость x=a, границам эпитаксиального слоя соответствует x=a, x=0. На некоторых участках в эпитаксиальный слой сверху внедряется акцепторная примесь бор (B), образующая боковые области p-типа, которые называются разделительными областями. Разделительные области достигают плоскости x=a, образуя вместе с подложкой единую p-область. Оставшееся от эпитаксиального слоя область n-типа расширяющаяся в направлении оси X, называется карманом.

На некотором участке в карман сверху внедряется акцепторная примесь бор, образующая p-область базы. В результате внедрения донорной примеси фосфора (P) в p-область базы образуется сильно легированная n+ область эмиттера. n-область (карман) окруженная p-область базы образует коллектор.

Сверху на полупроводник наносится пассивирующий слой диэлектрика SiO2 и металлические электроды эмиттера, базы и коллектора. Эти электроды расположены в одной плоскости, поэтому такая микросхема называется планарно-эпитаксиальная. На электрод подложки П, относительно коллектора подается напряжение Uпк удовлетворяет следующим условиям Uпробоя

03.07.2013

Добавить страницу в мои закладки:

Смотрите также:
Оставить отзыв

Подтвердите, что Вы не бот — выберите самый большой кружок:

Какую позицию должна занять Россия в отношении ДНР и ЛНР?

Loading ... Loading ...

Архив опросов

Отзывов на сайте: 12143
Вчера: 14. Сегодня: 6